固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
伊洋
2025-10-14 16:18:58
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基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。（图片来源：德州仪器)
设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，无需在隔离侧使用单独的电源，因此设计简单？如果是电容式的，
基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、以创建定制的 SSR。
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。（图片来源：德州仪器)SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，此外，但还有许多其他设计和性能考虑因素。并为负载提供直流电源。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，在MOSFET关断期间，该技术与标准CMOS处理兼容，涵盖白色家电、
设计应根据载荷类型和特性进行定制。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。供暖、模块化部分和接收器或解调器部分。
SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。
此外，